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大剂量P＋离子注入单晶硅的研究
更新时间：2021-04-09

    • 大剂量P＋离子注入单晶硅的研究

    • A study of high-dose P￣+ ions implantation into single-crystal silicon

    • 核技术   1994年第2期
    • 中图分类号： TN305

    • 纸质出版日期：1994-02-01

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  • [1]高剑侠,朱德彰,曹德新,周祖尧.大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究[J].核技术,1994(02):65-68. DOI：

    Gao Jianxia. A study of high-dose P￣+ ions implantation into single-crystal silicon[J]. Nuclear techniques, 1994, (2). DOI：

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高剑侠
朱德彰
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赵国庆
杨炫烨
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张思敏

相关机构

中国科学院新疆物理研究所中国科学院上海原子核研究所中国科学院上海冶金研究所上海复旦大学
上海复旦大学
中国科学院上海冶金研究所
武汉大学 物理科学与技术学院 湖北省核固体物理重点实验室
苏州热工研究院有限公司
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