纳米SnO2和SnO2/SiO2材料的正电子湮没研究

苏爱国; 郑裕芳; 吴奕初; 胡严

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

纳米SnO₂和SnO₂/SiO₂材料的正电子湮没研究

更新时间：2021-04-09

- 纳米SnO₂和SnO₂/SiO₂材料的正电子湮没研究
- Positron lifetime studies for nanocrystalline SnO2 and SnO2/SiO2
- 核技术 1998年第3期
- 作者机构：
  
  中山大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O614.432;O571
- 纸质出版日期：1998-03-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]苏爱国,郑裕芳,吴奕初,胡严.纳米SnO_2和SnO_2/SiO_2材料的正电子湮没研究[J].核技术,1998(03):138-142.

SU Aiguo ZHENG Yufang WU Yichu HU Yan. Positron lifetime studies for nanocrystalline SnO2 and SnO2/SiO2[J]. Nuclear techniques, 1998, (3).
[1]苏爱国,郑裕芳,吴奕初,胡严.纳米SnO_2和SnO_2/SiO_2材料的正电子湮没研究[J].核技术,1998(03):138-142. DOI：

SU Aiguo ZHENG Yufang WU Yichu HU Yan. Positron lifetime studies for nanocrystalline SnO2 and SnO2/SiO2[J]. Nuclear techniques, 1998, (3). DOI：

摘要

采用溶胶－凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段研究了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程。结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对应短寿命和中等寿命２。材料中两类缺陷的数量比与粒径有关。纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高分为两个阶段：低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢；高于此温度时，则生长迅速。在ＳｎＯ２中掺入ＳｉＯ２或采用压片后热处理，纳米晶粒的生长都受到抑制，热稳定性提高。

Abstract

Nanocrystalline SnO2 and SiO2- doped SnO2 samples prepared by the Sol- gel process have been investigated by X- ray diffraction and positron lifetime spectroscopy. lt was shown that only two kinds of defects were found in the interfaces of both samples

i.e.free volumes and microvoids. lt appeared that when the sintering temperature was lower than the crystallization temperature

the grains grew slowly

and above this temperature the growth became faster. Furthermore

grain growth of the pressurized samples was slower than that of the powder. And SiO2 doping effectively restrained the growth of nanocrystalline SnO2 grains

关键词

Keywords

references

浏览量

135

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于XRD内标法测定LiF-BeF₂熔盐体系中UF₃含量

上海光源BL02U2线站掠入射X射线衍射仪的研制

便携式同步辐射原位激光加热装置研制

气固反应的同步辐射X射线衍射原位表征装置研制

高压X射线衍射的脉冲激光加热方法