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高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究
更新时间:2022-08-16
    • 高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究

    • Damage Production in Silicon high energy Ar ion implantation

    • 核技术   1998年第8期
    • 中图分类号: O78
    • 纸质出版日期:1998-08-01

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  • [1]刘昌龙,侯明东,程松,朱智勇,王志光,孙友梅,王引书,金运范,李长林,孟庆华.高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究[J].核技术,1998(08):449-454. DOI:

    Damage Production in Silicon high energy Ar ion implantation[J]. Nuclear techniques, 1998, (8). DOI:

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