镍增进无定形硅低温固相外延生长

曹德新; 朱德彰; 朱福英; 曹建清

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

镍增进无定形硅低温固相外延生长

更新时间：2021-04-09

- 镍增进无定形硅低温固相外延生长
- Low temperature solid phase epitaxial regrowth of amorphous silicon enhanced by Ni implantation
- 核技术 1997年第2期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(11605241;11875290;11975276)
- DOI：
  中图分类号： TL34
- 纸质出版日期：1997-02-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]曹德新,朱德彰,朱福英,曹建清.镍增进无定形硅低温固相外延生长[J].核技术,1997(02):16-19.

Cao Dexin Zhu Dezhang Zhu Fuying Cao Jianqing. Low temperature solid phase epitaxial regrowth of amorphous silicon enhanced by Ni implantation[J]. Nuclear techniques, 1997, (2).
[1]曹德新,朱德彰,朱福英,曹建清.镍增进无定形硅低温固相外延生长[J].核技术,1997(02):16-19. DOI：

Cao Dexin Zhu Dezhang Zhu Fuying Cao Jianqing. Low temperature solid phase epitaxial regrowth of amorphous silicon enhanced by Ni implantation[J]. Nuclear techniques, 1997, (2). DOI：

摘要

离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。

Abstract

Solid phase epitaxial regrowth of amorphous silicon formed at 430℃was found if the amorphous silicon layer involved implanted Ni impurity with dose range from 1×10 12 ; to 2.5×10 17 Ni/cm 2. The Rutherford backscattering with channeling was used to determine the thickness of amorphous Si layer after 430℃ annealing. The results indicate that the SPER at 430℃ occurs and its rate depends on Ni implanted dose

and normally

the SPER is faster than that of pure amorphous Si by two orders.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据