浏览全部资源
扫码关注微信
兰州大学
纸质出版日期:1997-02-01
移动端阅览
[1]王天民,王学军,王维洁,史绩,寇昕莉.110keVC~+入单晶Ta的研究[J].核技术,1997(02):2-6.
110keVC+入单晶Ta的研究[J]. Nuclear techniques, 1997, (2).
[1]王天民,王学军,王维洁,史绩,寇昕莉.110keVC~+入单晶Ta的研究[J].核技术,1997(02):2-6. DOI:
110keVC+入单晶Ta的研究[J]. Nuclear techniques, 1997, (2). DOI:
用能量为110keV、剂量为3×1017ions/cm2的C+对单晶Ta进行了注入,分析了注入层的成分分布及其结构,考察了注入前后表面层摩擦磨损性能的变化及其特征。结果表明,C+注入层含有hcpTa2C及bccTa(C)相,其强化效应造成了注入层硬度、耐磨性的提高和摩擦系数的下降;样品表面与淬火态GCr15钢球间的磨损机制也由未注入时的粘着磨损转化为注入后轻微的磨粒磨损。
0
浏览量
42
下载量
1
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构