离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究

更新时间：2021-04-09

- 离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究
- 离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究
- 核技术 1997年第1期
- 作者机构：
  
  1. 兰州大学
  2. 中国建筑材料科学研究院陶瓷所
  3. 中国科学院兰州化学物理所
  4. 兰州大学中国建筑材料科学研究院陶瓷所中国科学院兰州化学物理所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TL34
- 纸质出版日期：1997-01-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]王齐祖,陈玉峰,王维洁,王天民,折晓黎,田军.离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究[J].核技术,1997(01):14-18.

离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究[J]. Nuclear techniques, 1997, (1).
[1]王齐祖,陈玉峰,王维洁,王天民,折晓黎,田军.离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究[J].核技术,1997(01):14-18. DOI：

离子束混合增强陶瓷基体上金属薄膜附着力的研究[J]. Nuclear techniques, 1997, (1). DOI：

摘要

研究了１１０ｋｅＶＮ＋轰击Ｔｉ／Ｓｉ３Ｎ４和Ａｇ／ＡＬ２Ｏ３后界面间所发生的变化。结果表明，离子束混全技术大幅度提高了陶瓷基体上金属膜的附着力，在界面处发生了原子级混合，这为解释附着力的“增强效应”提供了科学依据，金属薄膜的沉积及后续的离子轰击明显地减少了陶瓷裂纹的形成

Abstract

研究了１１０ｋｅＶＮ＋轰击Ｔｉ／Ｓｉ３Ｎ４和Ａｇ／ＡＬ２Ｏ３后界面间所发生的变化。结果表明，离子束混全技术大幅度提高了陶瓷基体上金属膜的附着力，在界面处发生了原子级混合，这为解释附着力的“增强效应”提供了科学依据，金属薄膜的沉积及后续的离子轰击明显地减少了陶瓷裂纹的形成

关键词

Keywords

references

0

浏览量

91

下载量

2

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据

AI问答

地址：上海市嘉罗公路2019号邮编：201800
联系电话：021-39194977 Email：LHB@sinap.ac.cn
技术支持由北京北大方正电子有限公司提供沪ICP备05005479号-1 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies
总访问量：880840 今日访问量：367

⁰