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4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流
更新时间:2021-04-09
    • 4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流

    • Leakage current of the 4000 series CMOS devices induced by total dose ionizing radiation

    • 核技术   1997年第1期
    • 中图分类号: TL811
    • 纸质出版日期:1997-01-01

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  • [1]余学锋,任迪远,陆妩,张国强,郭旗,严荣良.4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流[J].核技术,1997(01):25-29. DOI:

    Yu Xuefeng Ren Diyuan Lu Wu Zhang Guoqiang Guo Qi Yan Rongliang. Leakage current of the 4000 series CMOS devices induced by total dose ionizing radiation[J]. Nuclear techniques, 1997, (1). DOI:

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丰俊东
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