pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨

范隆; 任迪远; 高文钰; 郭旗; 严荣良; 赵元富

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pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨

更新时间：2021-04-09

- pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨
- Temperature effect of pMOS dosimeters and its compensation
- 核技术 1997年第3期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆物理研究所
  2. 骊山微电子公司
  3. 中国科学院新疆物理研究所骊山微电子公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TL818
- 纸质出版日期：1997-03-01
- 稿件说明：
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[1]范隆,任迪远,高文钰,郭旗,严荣良,赵元富.pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨[J].核技术,1997(03):46-51.

Fan Long Ren Diyuan Gao Wenyu Guo Qi Yan Rongliang. Temperature effect of pMOS dosimeters and its compensation[J]. Nuclear techniques, 1997, (3).
[1]范隆,任迪远,高文钰,郭旗,严荣良,赵元富.pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨[J].核技术,1997(03):46-51. DOI：

Fan Long Ren Diyuan Gao Wenyu Guo Qi Yan Rongliang. Temperature effect of pMOS dosimeters and its compensation[J]. Nuclear techniques, 1997, (3). DOI：

摘要

利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行了讨论，探讨了辐照对“零温度系数点”的影响。实验结果表明，采用“零温度系数”电流作为注入的恒流来测量栅源电压能提高剂量计电压读出的精度，起到对温度补偿的作用。

Abstract

An investigation on temperature effect of the home-made pMOS RADFETs used in dosimeters has been carried out. Based on the theoretical formulas of MOS transistor threshold voltage and the I DS - V GS equation

the temperature effects on threshold voltage and channel carrier mobility are discussed. And the influence of irradiation on the “zero temperature coefficient（ZTC） point” is explored. The experimental results show that biasing a pMOS dosimeter at ZTC point （constant current） to measure the gate-source voltage can improve the read-out precision of the dosimeter and make compensation for the temperature effect.

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