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CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应
更新时间:2021-04-09
    • CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应

    • Dose enhancement effects of X-ray radiation in CMOS circuits

    • 核技术   1997年第7期
    • 中图分类号: TL271.7
    • 纸质出版日期:1997-07-01

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  • [1]陈盘训,周开明.CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应[J].核技术,1997(07):8-11. DOI:

    Chen Panxun Zhou Kaiming. Dose enhancement effects of X-ray radiation in CMOS circuits[J]. Nuclear techniques, 1997, (7). DOI:

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