高剂量N<sup>＋</sup>注入碳膜形成氮化碳CN<sub>x</sub>的研究

辛火平; 石晓红; 朱宏; 林成鲁; 邹世昌

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高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究

更新时间：2021-04-09

- 高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究
- Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film
- 核技术 1996年第2期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室
  2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室
  3. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
  4. 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： R144.1
- 纸质出版日期：1996-02-01
- 稿件说明：
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[1]辛火平,石晓红,朱宏,林成鲁,邹世昌.高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究[J].核技术,1996(02):90-92.

Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film[J]. Nuclear techniques, 1996, (2).
[1]辛火平,石晓红,朱宏,林成鲁,邹世昌.高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究[J].核技术,1996(02):90-92. DOI：

Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film[J]. Nuclear techniques, 1996, (2). DOI：

摘要

研究了利用高剂量的Ｎ＋注入碳膜形成氮化碳ＣＮｘ的可能性。对这种新材料进行了傅里叶变换红外吸收光谱、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明，在１００ｋｅＶ高剂量Ｎ＋注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的ＣＮｘ化合物。

Abstract

The possibility of forming carbon nitride CNx by high dose nitrogen implantation into carbon film has been investigated.The sample is evaluated by Fourier transformation infrared absorption spectroscopy（FTIR）

X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）

X-ray diffraction analysis（XRD） and Vickers microhardness measurement.The results verify the formation of C-N covalent bond in the sample during the process of high dose nitrogen implantation into carbon film.

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高剂量N＋注入碳膜形成氮化碳CNx的研究

Formation of carbon nitride CNx by high dose nitrogen implantation into carbon film

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高剂量N^＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究

Formation of carbon nitride CN_x by high dose nitrogen implantation into carbon film