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用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
更新时间:2021-04-09
    • 用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度

    • PAT study of defect and electron density in Al-Li-Cu-Mg-Zr alloy under cryogenic temperature

    • 核技术   1996年第3期
    • 中图分类号: TG111.2
    • 纸质出版日期:1996-03-01

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  • [1]吴伟明,高英俊,邓文,许少杰,冯冠之,钟夏平,蒋晓军.用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度[J].核技术,1996(03):160-163. DOI:

    PAT study of defect and electron density in Al-Li-Cu-Mg-Zr alloy under cryogenic temperature[J]. Nuclear techniques, 1996, (3). DOI:

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中国科学院上海应用物理研究所
武汉大学 物理与科学技术学院 核固体物理湖北省重点实验室
中国科学院上海冶金研究所!上
中国科学技术大学近代物理系
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