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高能磷离子注入硅晶格的损伤初探
更新时间：2021-04-09

    • 高能磷离子注入硅晶格的损伤初探

    • A Study of lattice damage by MeV P ion implantation in Si

    • 核技术   1995年第9期
    • 中图分类号： TN304.12

    • 纸质出版日期：1995-09-01

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  • [1]吴瑜光,张通和,孙贵如.高能磷离子注入硅晶格的损伤初探[J].核技术,1995(09):522-526. DOI：

    A Study of lattice damage by MeV P ion implantation in Si[J]. Nuclear techniques, 1995, (9). DOI：

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