栅氧化方式对注F　MOSFET电离辐射效应的影响

张国强; 严荣良; 余学锋; 高文钰; 任迪远; 赵元富; 胡浴红; 王英民

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栅氧化方式对注F　MOSFET电离辐射效应的影响

更新时间：2021-04-09

- 栅氧化方式对注F　MOSFET电离辐射效应的影响
- Influence of gate oxidation methods on ionizing radiation effects for fluorinated MOSFET
- 核技术 1994年第4期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆物理研究所
  2. 骊山微电子公司
  3. 中国科学院新疆物理研究所骊山微电子公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O571.323
- 纸质出版日期：1994-04-01
- 稿件说明：
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[1]张国强,严荣良,余学锋,高文钰,任迪远,赵元富,胡浴红,王英民.栅氧化方式对注F　MOSFET电离辐射效应的影响[J].核技术,1994(04):221-225.

Influence of gate oxidation methods on ionizing radiation effects for fluorinated MOSFET[J]. Nuclear techniques, 1994, (4).
[1]张国强,严荣良,余学锋,高文钰,任迪远,赵元富,胡浴红,王英民.栅氧化方式对注F　MOSFET电离辐射效应的影响[J].核技术,1994(04):221-225. DOI：

Influence of gate oxidation methods on ionizing radiation effects for fluorinated MOSFET[J]. Nuclear techniques, 1994, (4). DOI：

摘要

对氢氧合成和干氧栅氧化后注Ｆ的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了γ射线辐照试验，比较了两种栅介质注Ｆ的电离辐射响应特性。研究表明，氢氧合成栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳＦＥＴ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态生长的能力。用一个新的模型对实验结果进行了讨论，该新模型中用Ｓｉ—Ｆ结键替代其它在辐射场中易成为电荷陷阱的应力键，并考虑到不同氧化方式导致栅介质本身具有的电子陷阱数、空穴迁移率和氧化时所引入缺陷量的差异。

Abstract

The ionizing radiation response of two fluorinated gate dielectrics has been compared. It is shown that the F implanted gate oxides for H2+O2 oxidation have stronger ability of suppressing radiation-induced oxide charges and interface states than that for dry O2 oxidation. The experimental results are explained with a model

in which the Si-F bonds are taken as a substitute for other stress bonds that is easy to form charge traps under irradiation and some existing differences are considered between two gate oxides in term of the number of electron traps and defects as well as the hole mobilities.

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