AlxSn100－x合金系统的Ar＋溅射研究

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Al_xSn_100－x合金系统的Ar^＋溅射研究

更新时间：2021-04-09

- Al_xSn_100－x合金系统的Ar^＋溅射研究
- Study of ion sputtering on Al_xSn_100-x alloy system
- 核技术 1994年第7期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海原子核研究所
  2. 杭州大学
  3. 中国科学院上海原子核研究所杭州大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O613.13
- 纸质出版日期：1994-07-01
- 稿件说明：
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[1]王震遐,章骥平,潘冀生,陶振兰,朱福英,张慧明,曾跃武.Al_xSn_（100－x）合金系统的Ar~＋溅射研究[J].核技术,1994(07):396-402.

Study of ion sputtering on Al_xSn_100-x alloy system[J]. Nuclear techniques, 1994, (7).
[1]王震遐,章骥平,潘冀生,陶振兰,朱福英,张慧明,曾跃武.Al_xSn_（100－x）合金系统的Ar~＋溅射研究[J].核技术,1994(07):396-402. DOI：

Study of ion sputtering on Al_xSn_100-x alloy system[J]. Nuclear techniques, 1994, (7). DOI：

用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了３０ｋｅＶＡｒ＋轰击ＡｌｘＳｎ１００－ｘ合金系统（Ｘ＝９０，７０，５０，３０，１０）溅射Ｓｎ和Ａｌ原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型，分析结果和实验数据符合较好．

Angular distributions and preferential sputtering for Sn and Al atoms ejectedmom the AlxSn100-x.（x=90

10） alloy system bombarded by 30keV Ar+ ions lave been studied with the collector technique and the RBS analysis.To explain the experimental results

a model considering the influence of surface topography and ocalised element enrichment on the atomic ejection is proposed

and the explanation isquite satisfactory.

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