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用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延
更新时间：2021-04-09

    • 用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

    • The study of solid phase epitaxy in silicon by the time-resolved reflectivity technique

    • 核技术   1994年第8期
    • 中图分类号： TN304.054

    • 纸质出版日期：1994-08-01

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  • [1]王小兵,朱福英,潘浩昌,曹德新,朱德彰.用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延[J].核技术,1994(08):471-475. DOI：

    The study of solid phase epitaxy in silicon by the time-resolved reflectivity technique[J]. Nuclear techniques, 1994, (8). DOI：

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陈加琪
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天津大学 理学院
天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室
南京大学物理学院
南京工程学院材料工程学院
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