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高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应
更新时间:2021-04-09
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    • 高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应

    • Effects of ionizing radiation on breakdown voltage for high voltage offset-gated PMOSFETs

    • 核技术   1993年第1期
    • 纸质出版日期:1993-01-01

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  • [1]高文钰,任迪远,陆妩,严荣良,赵元富,李荫波.高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应[J].核技术,1993(01):1-5. DOI:

    Gao Wenyu Ren Diyuan Lu Wu Yan Rongliang. Effects of ionizing radiation on breakdown voltage for high voltage offset-gated PMOSFETs[J]. Nuclear techniques, 1993, (1): 1-5. DOI:

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