高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究

王明谦; 孙金华; 施启存

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高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究

更新时间：2021-04-09

- 高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究
- Temperature effect of the high pressure ionization chamber and its output circuits
- 核技术 1993年第3期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学
  2. 中国科学技术大学,合肥,230027
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1993-03-01
- 稿件说明：
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[1]王明谦,孙金华,施启存.高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究[J].核技术,1993(03):166-168.

Wang Mingqian Sun Jinhua Shi Qicun. Temperature effect of the high pressure ionization chamber and its output circuits[J]. Nuclear techniques, 1993, (3): 166-168.
[1]王明谦,孙金华,施启存.高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究[J].核技术,1993(03):166-168. DOI：

Wang Mingqian Sun Jinhua Shi Qicun. Temperature effect of the high pressure ionization chamber and its output circuits[J]. Nuclear techniques, 1993, (3): 166-168. DOI：

摘要

研究了高气压电离室、输出电路部分随温度改变时对脉冲信号频率产生的影响

为电离室及输出电路的设计提供了依据。

Abstract

The influence of temperature change on the high pressure ionization chamber and its A- F converter output circuits is studied. The experimental result is useful for the design of these devices.

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高气压电离室及其信号输出电路的温度效应的研究

Temperature effect of the high pressure ionization chamber and its output circuits

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