您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析
更新时间:2021-04-09
    • 掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

    • A study of transparant conductive SnO2 films by nuclear techniques

    • 核技术   1993年第6期
    • 纸质出版日期:1993-06-01

    移动端阅览

  • [1]谭春雨,夏曰源,许炳章,刘向东,刘吉田,陈有鹏,李淑英,马洪磊,李金华.掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析[J].核技术,1993(06):349-355. DOI:

    Tan Chunyu Xia Yueyuan Xu Bingzhang Liu Xiangdong Liu Jitian. A study of transparant conductive SnO2 films by nuclear techniques[J]. Nuclear techniques, 1993, (6): 349-355. DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

120

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究

相关作者

廖常庚
杨生胜
姜辉
汪永强
郑志豪

相关机构

兰州大学
兰州大学
0