用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO<sub>2</sub>

朱俊杰; 章世玲; 郑允弘

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用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO₂

更新时间：2021-04-09

- 用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO₂
- A study of gas sensing material Sb doped SnO₂ by CEMS method
- 核技术 1993年第8期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学
  2. 中国科学技术大学,合肥,230026
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(11605241;11875290;11975276)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1993-08-01
- 稿件说明：
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[1]朱俊杰,章世玲,郑允弘.用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO_2[J].核技术,1993(08):492-495.

Zhu Junjie Zhang Shiling Zheng Yunhong. A study of gas sensing material Sb doped SnO₂ by CEMS method[J]. Nuclear techniques, 1993, (8): 492-495.
[1]朱俊杰,章世玲,郑允弘.用内转换电子穆斯堡尔谱法研究掺锑气敏材料SnO_2[J].核技术,1993(08):492-495. DOI：

Zhu Junjie Zhang Shiling Zheng Yunhong. A study of gas sensing material Sb doped SnO₂ by CEMS method[J]. Nuclear techniques, 1993, (8): 492-495. DOI：

摘要

用CEMS方法对掺锑的SnO

气敏薄膜作了研究。该材料对H

、CO的气敏响应取决于掺锑浓度（x％）和退火温度。实验发现:样品的CEMS参量同质异能移和四极分裂分布宽度在x=1％时为最小值

正好与气敏响应灵敏度达最大值相一致。由此进一步讨论了气敏薄膜的敏感机理。

Abstract

Sn Mb’ssbauer spectra for the surface layer of Sb doped SnO2 thin film have been obtained by using CEMS method. The gas- sensing response of these films for H2 and CO depends on concentration of doped Sb（x%） and annealing temperature . It is found that when x = 1% the CEMS parameters of samples δ（IS） and σ△ （QS’s distribution width） reach minima while the gas sensing sensitivity reachs maximum. The gas sensitive mechanism is discussed.

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A study of gas sensing material Sb doped SnO2 by CEMS method

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A study of gas sensing material Sb doped SnO₂ by CEMS method