自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

更新时间：2021-04-09

- 自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况
- The structure and work conditions of an ionizer for home-made sputter negative ion source
- 核技术 1992年第6期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院物理研究所
  2. 沈阳有色金属加工厂研究所,北京,100080
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1992-06-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]周俊思,邱长青,徐天冰,杨国梁.自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况[J].核技术,1992(06):376-380.

Zhou Junsi Qiu Changqing Xu Tiaabing Yang Guolaing. The structure and work conditions of an ionizer for home-made sputter negative ion source[J]. Nuclear techniques, 1992, (6): 376-380.
[1]周俊思,邱长青,徐天冰,杨国梁.自制溅射负离子源电离器的材料、结构、制作及使用情况[J].核技术,1992(06):376-380. DOI：

Zhou Junsi Qiu Changqing Xu Tiaabing Yang Guolaing. The structure and work conditions of an ionizer for home-made sputter negative ion source[J]. Nuclear techniques, 1992, (6): 376-380. DOI：

介绍自制溅射型负离子源及其关键部件——电离器的材料、结构、制作及使用情况。得到碳束C

总流强

780μA

硅束Si-250μA.此电离器先后在2×1.7MV串列加速器的进口溅射源及200kV离子注入机自制溅射源上使用

寿命3000h。

A modified sputter negative ion source has been developed in Ion Beam Lab.

Institute of Physics

the ionizer of which is described in detail. 780μA C- and 250μA of Si- have been obtained. The lifetime of the ionizer is longer than 3000 h.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

表面电离的计算与测量

860A型高强度溅射离子源的改进

溅射负离子源的最新发展

相关机构

北京师范大学

北京师范大学分析测试中心

中国科学院原子能研究所

AI问答

⁰