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SiGe/Si（100）外延薄膜材料的应变表征研究
更新时间：2021-03-12
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    • SiGe/Si（100）外延薄膜材料的应变表征研究

    • Investigation of strain in SiGe/Si (100) heteroepitaxial material by various characterization technology

    • 核技术   2005年第4期
    • 中图分类号： TN304

    • 纸质出版日期：2005-04-01

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  • [1]陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰.SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究[J].核技术,2005(04):277-281. DOI：

    CHEN Changchun1 YU Benhai1 LIU Jiangfeng1 CAO Jianqing2 ZHU Dezhang2 1. Investigation of strain in SiGe/Si (100) heteroepitaxial material by various characterization technology[J]. Nuclear techniques, 2005, (4): 277-281. DOI：

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