CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

陆妩; 郭旗; 任迪远; 余学锋; 张国强; 严荣良; 王明刚; 胡浴红; 赵文魁

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CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

更新时间：2021-03-12

- CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析
- Analyses of the CMOS op-amps’ damage in irradiation environment
- 核技术 2002年第3期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆物理研究所
  2. 西安微电子技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN722
- 纸质出版日期：2002-03-01
- 稿件说明：
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[1]陆妩,郭旗,任迪远,余学锋,张国强,严荣良,王明刚,胡浴红,赵文魁.CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析[J].核技术,2002(03):218-222.

LU Wu GUO Qi REN Diyuan YU Xuefeng ZHANG Guoqiang YAN Rongliang. Analyses of the CMOS op-amps’ damage in irradiation environment[J]. Nuclear techniques, 2002, (3): 218-222.
[1]陆妩,郭旗,任迪远,余学锋,张国强,严荣良,王明刚,胡浴红,赵文魁.CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析[J].核技术,2002(03):218-222. DOI：

LU Wu GUO Qi REN Diyuan YU Xuefeng ZHANG Guoqiang YAN Rongliang. Analyses of the CMOS op-amps’ damage in irradiation environment[J]. Nuclear techniques, 2002, (3): 218-222. DOI：

摘要

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化

探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示

由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称

在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配

是导致运放电参数发生剧变的根本原因。对CMOS运放电路来说

电路结构的匹配及MOSFET单管I -V特性的优劣

是决定运放抗辐射能力的关键。

Abstract

The total dose radiation responses of transistors

subsidiary and entire circuits of CMOS amplifiers with P channel transistor pair inputs have been investigated. It was shown that the main mechanisms of performance degrade of op-amps is unbalance of the current mirror caused by the non-symmetry output characteristics of the differential input transistors. So good match of the op-amps’ structure and the I-V characteristic of its transistors are the key issues to determine the tolerance of an op-amps to total dose radiation.

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