MOSFET辐射效应测试装置的研制

赵又新

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MOSFET辐射效应测试装置的研制

更新时间：2021-03-12

- MOSFET辐射效应测试装置的研制
- Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects
- 核技术 2007年第2期
- 作者机构：
  
  兰州工业高等专科学校电气工程系,兰州,730050
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TL52
- 纸质出版日期：2007-02-01
- 稿件说明：
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[1]赵又新.MOSFET辐射效应测试装置的研制[J].核技术,2007(02):152-156.

ZHAO Youxin. Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects[J]. Nuclear techniques, 2007, (2): 152-156.
[1]赵又新.MOSFET辐射效应测试装置的研制[J].核技术,2007(02):152-156. DOI：

ZHAO Youxin. Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects[J]. Nuclear techniques, 2007, (2): 152-156. DOI：

摘要

为进行金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的单粒子翻转、烧毁截面、栅穿、闭锁等辐射效应的研究

研制了MOSFET辐射效应的测试装置。记述了利用该装置在252Cf源、激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上进行的MOSFET的辐射效应实验。

Abstract

In order to research Metal-Oxide-Simiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)’s radiation effects

such as the single event upset

single event burnout

single event gate rupture

and single event latch-up

the equipment for specially testing radiation effect of MOSFET is developed. This paper introduces its composition of hardware and software

and the measuring technology. It is successful in the experiments of testing MOSFET’s radiation effect by using 252Cf source

laser equipment of testing radiation effect and HI-13 tandem accelerator. Some testing results accomplished in HI-13 tandem accelerator are reported.

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相关机构

兰州大学核科学与技术学院

中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心

天津大学精密仪器与光电子工程学院

中国科学院大学

中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室

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