调制掺杂Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的微应变

谭伟石; 沙昊; 沈波; 蔡宏灵; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉; 贾全杰; 姜晓明

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调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的微应变

更新时间：2021-03-12

- 调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的微应变
- Microstrain in modulation-doped Al_xGa_1-x N/GaN heterostructures
- 核技术 2002年第10期
- 作者机构：
  
  1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系
  2. 中国科学院高能物理研究所,南京,210093
  3. ,北京,100039
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  (No.ZX069);(No.ZX069)
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版日期：2002-10-01
- 稿件说明：
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[1]谭伟石,沙昊,沈波,蔡宏灵,吴小山,蒋树声,郑文莉,贾全杰,姜晓明.调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变[J].核技术,2002(10):799-804.

TAN Weishi SHA Hao SHEN Bo CAI Hongling WU Xiaoshan JIANG Shusheng. Microstrain in modulation-doped Al_xGa_1-x N/GaN heterostructures[J]. Nuclear techniques, 2002, (10): 799-804.
[1]谭伟石,沙昊,沈波,蔡宏灵,吴小山,蒋树声,郑文莉,贾全杰,姜晓明.调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变[J].核技术,2002(10):799-804. DOI：

TAN Weishi SHA Hao SHEN Bo CAI Hongling WU Xiaoshan JIANG Shusheng. Microstrain in modulation-doped Al_xGa_1-x N/GaN heterostructures[J]. Nuclear techniques, 2002, (10): 799-804. DOI：

摘要

用MOCVD方法在（0 0 0 1）取向的蓝宝石（α -Al2 O3）衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构

利用高分辨X射线衍射（HRXRD）测量了其对称反射（0 0 0 2 ）和非对称反射（10 14 ）的倒易空间图（RSM ）。分析结果表明

势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联

当厚度大于 75 0 时

势垒层开始发生应变弛豫

临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态

这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关

Abstract

Modulation-doped Al x Ga 1- x N/GaN heterostructures with various thickness of Si-doped n-Al 0.22 Ga 0.78 N barrier (n-AlGaN) were deposited on (0001)-oriented sapphire (α-Al 2O 3) by MOCVD. The reciprocal space mappings (RSMs) of symmetric reflection (0002) and asymmetric reflection (1014) were measured with the methods of high resolution X-ray diffraction (HRXRD). The results indicate that the microstructure and strain status of barrier correlate to those of the i-GaN layer. The strained barrier starts to be relaxed while its thickness is larger than 750 and the critical thickness t c is larger than 500. The barrier holds an "abnormal" relaxation status

which probably results from the internal defects of n-AlGaN and the strain relaxation status at the i-GaN/α-Al 2O 3 interfaces.

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调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变

Microstrain in modulation-doped AlxGa1-x N/GaN heterostructures

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调制掺杂Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的微应变

Microstrain in modulation-doped Al_xGa_1-x N/GaN heterostructures