用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变

刘玉娟; 张斌; 王坤; 姚淑德; 王立; 江风益

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用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-12

- 用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变
- RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD
- 核技术 2007年第8期
- 作者机构：
  
  1. 东华理工大学核工程技术学院
  2. 复旦大学现代物理研究所
  3. 北京大学物理学院
  4. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.2
- 纸质出版日期：2007-08-01
- 稿件说明：
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[1]刘玉娟,张斌,王坤,姚淑德,王立,江风益.用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变[J].核技术,2007(08):657-659.

LIU Yujuan1 ZHANG Bin2 WANG Kun3 YAO Shude3 WANG Li4 JIANG Fengyi4 1. RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD[J]. Nuclear techniques, 2007, (8): 657-659.
[1]刘玉娟,张斌,王坤,姚淑德,王立,江风益.用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变[J].核技术,2007(08):657-659. DOI：

LIU Yujuan1 ZHANG Bin2 WANG Kun3 YAO Shude3 WANG Li4 JIANG Fengyi4 1. RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD[J]. Nuclear techniques, 2007, (8): 657-659. DOI：

摘要

用卢瑟福背散射/沟道（RBS/Channeling）技术研究了在Al2O3（0001）衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变。ZnO薄膜的χmin=5.1%

表明其具有非常好的结晶品质。ZnO薄膜的四方畸变为正

表明其在水平方向是拉应变

垂直方向是压应变。弹性应变由界面向表面逐渐释放

其在界面附近最大

在表面处最小。

Abstract

The elastic strain of ZnO film

grown on Al2O3(0001) substrate by MOCVD

was studied by RBS/Channeling. Its χmin is 5.1%

which shows that ZnO film has very high crystal quality. The positive tetragonal distortion indicates that pull strain in the horizontal direction and press strain in the vertical direction happen. The elastic strain is gradually released from interface to surface. In the interface

the elastic strain is the maximum

while in the suface

it is the minimum.

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