一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性

牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘刚; 高嵩; 肖志斌

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一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性

更新时间：2021-03-12

- 一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
- Effects of electron irradiation on a home-made type of triple-junction GainP|GaAs／Ge solar cell
- 核技术 2007年第1期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆理化技术研究所
  2. 天津电源研究所乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院
  3. ,天津,300381
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM914.4
- 纸质出版日期：2007-01-01
- 稿件说明：
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[1]牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩,肖志斌.一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性[J].核技术,2007(01):37-39.

Effects of electron irradiation on a home-made type of triple-junction GainP|GaAs／Ge solar cell[J]. Nuclear techniques, 2007, (1): 37-39.
[1]牛振红,郭旗,任迪远,刘刚,高嵩,肖志斌.一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性[J].核技术,2007(01):37-39. DOI：

Effects of electron irradiation on a home-made type of triple-junction GainP|GaAs／Ge solar cell[J]. Nuclear techniques, 2007, (1): 37-39. DOI：

摘要

对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究

分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明

这种电池不但有很高的初始效率

而且有好的抗辐射性

电子注量达到1×1015cm-2时

最大输出功率为辐照前的80．4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化

而GaAs中间电池短路电流严重退化

致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配

是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。

Abstract

Radiation effects of 1 MeV electron on a home-made type of tripie-junction GaInP/GaAs/Ge solar cell have been investigated.The results indicate that the GalnP/GaAs/Ge solar cell has high efficiency and high radiation hardness.The final-to-initial maximum power ratio (P/P0) of the GaInP/GaAs/Ge cell was 80.4% at a fluence of l×l0(15)cm(-2).The spectral response of the GalnP top subcell showed little degradation

and this was not a limitation for GalnP/GaAsd/Ge cell performance.The GaAs middle subcell I(sc)

however

presented serious degradation.The degradation of GalnP/GaAs/Ge solar cell is due primarily to the GaAs middle subcell.

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