JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚

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JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

更新时间：2021-03-12

- JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究
- Research on the method of enhancing radiation damage of JFET-input operational amplifiers
- 核技术 2006年第8期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆理化技术研究所
  2. 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京,100049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN722.77;TN386
- 纸质出版日期：2006-08-01
- 稿件说明：
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[1]高嵩,陆妩,任迪远,牛振红,刘刚.JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究[J].核技术,2006(08):627-630.

GAO Song LU Wu REN Diyuan NIU Zhenhong LIU Gang. Research on the method of enhancing radiation damage of JFET-input operational amplifiers[J]. Nuclear techniques, 2006, (8): 627-630.
[1]高嵩,陆妩,任迪远,牛振红,刘刚.JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究[J].核技术,2006(08):627-630. DOI：

GAO Song LU Wu REN Diyuan NIU Zhenhong LIU Gang. Research on the method of enhancing radiation damage of JFET-input operational amplifiers[J]. Nuclear techniques, 2006, (8): 627-630. DOI：

摘要

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明

采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强

并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数

可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。

Abstract

A method of enhancing radiation damage for JFET-input op-amps has been studied in this paper. The results show that a circulative irradiation-annealing method can make the radiation damage of JFET-input op-amps enhanced

and radiation damage of the devices at low dose rate can be evaluated through adjusting parameters such as radiating dose rate

annealing temperature and time

etc. The possible mechanism of this method is discussed.

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