空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

何宝平; 周荷琴; 罗尹虹; 周辉; 郭红霞; 姚志斌; 张凤祁

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空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

更新时间：2021-03-12

- 空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究
- Research of prediction method of radiation induced leakage current at low dose rate irradiation in space environment
- 核技术 2006年第7期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学
  2. 西北核技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN432
- 纸质出版日期：2006-07-01
- 稿件说明：
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[1]何宝平,周荷琴,罗尹虹,周辉,郭红霞,姚志斌,张凤祁.空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究[J].核技术,2006(07):503-507.

HE Baoping1, 2 ZHOU Heqin1 LUO Yinhong2 ZHOU Hui2 GUO Hongxia2 YAO Zhibin2 ZHANG Fengqi2 1. Research of prediction method of radiation induced leakage current at low dose rate irradiation in space environment[J]. Nuclear techniques, 2006, (7): 503-507.
[1]何宝平,周荷琴,罗尹虹,周辉,郭红霞,姚志斌,张凤祁.空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究[J].核技术,2006(07):503-507. DOI：

HE Baoping1, 2 ZHOU Heqin1 LUO Yinhong2 ZHOU Hui2 GUO Hongxia2 YAO Zhibin2 ZHANG Fengqi2 1. Research of prediction method of radiation induced leakage current at low dose rate irradiation in space environment[J]. Nuclear techniques, 2006, (7): 503-507. DOI：

摘要

本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型

并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RHNMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应。研究结果表明

在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火

利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应

并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率（1×10-4-1×10-2rad/s）环境下的漏电流的预估结果。

Abstract

A radiation response model of total dose effect for CMOS devices in a space environment is presented to predict the radiation-induced leakage current. Total effects for CC4007RH and C4007B devices at different dose rates irradiation of γ rays were calculated by using the established model. So long as total dose irradiation test and post-irradiation annealing test at room temperature were carried out by choosing one dose rate at random

total dose irradiation effects at other dose rates can be predicted by using the established models. Finally

the prediction results of 10-4-10-2 rad·s-1 low dose rate irradiation for CC4007RH and C4007B devices in space environment were presented.

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