等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究

田修波; 杨士勤; Ricky K Y Fu; Paul K Chu

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等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究

更新时间：2021-03-12

- 等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究
- Plasma immersion ion implantation into insulating materials
- 核技术 2006年第5期
- 作者机构：
  
  1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
  2. 香港城市大学物理及材料科学系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  (No.ZX069)
- DOI：
  中图分类号： TG174.445
- 纸质出版日期：2006-05-01
- 稿件说明：
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[1]田修波,杨士勤,Ricky K Y Fu,Paul K Chu.等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究[J].核技术,2006(05):335-338.

TIAN Xiubo YANG Shiqin. Plasma immersion ion implantation into insulating materials[J]. Nuclear techniques, 2006, (5): 335-338.
[1]田修波,杨士勤,Ricky K Y Fu,Paul K Chu.等离子体浸没离子注入绝缘材料的研究[J].核技术,2006(05):335-338. DOI：

TIAN Xiubo YANG Shiqin. Plasma immersion ion implantation into insulating materials[J]. Nuclear techniques, 2006, (5): 335-338. DOI：

摘要

等离子体浸没离子注入是一种新形式的离子注入技术

是利用负偏压工件周围形成的等离子体鞘层进行离子加速、进而获得离子注入。等离子体注入的前提条件是工件导电

因此对于绝缘材料的等离子体注入可能存在问题。本文从理论和实际处理的角度论证了绝缘材料等离子体注入的可能性、可操作性

并给出了一些实际例证。

Abstract

Plasma immersion ion implantation (PIII) is an effective surface modification tool. During PIII processes

the objects to be treated are immersed in plasmas and then biased to negative potential. Consequently the plasma sheath forms and ion implantation may be performed. The pre-requirement of plasma implantation is that the object is conductive. So it seems difficult to treat the insulating materials. The paper focuses on the possibilities of plasma implantation into insulating materials and presents some examples.

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