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50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
更新时间:2021-03-12
    • 50 nm X射线光刻掩模制备关键技术

    • Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography

    • 核技术   2004年第2期
    • 中图分类号: TN305
    • 纸质出版日期:2004-02-01

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  • [1]董立军,陈大鹏,谢常青,韩敬东,叶甜春,伊福廷,彭良强,韩勇,张菊芳.50 nm X射线光刻掩模制备关键技术[J].核技术,2004(02):96-98. DOI:

    DONG Lijun CHEN Dapeng XIE Changqing HAN Jingdong YE Tianchun. Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography[J]. Nuclear techniques, 2004, (2): 96-98. DOI:

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相关作者

张菊芳
韩勇
伊福庭
彭良强
韩敬东
赵玪莉
胥兴才
董立军

相关机构

中国科学院高能物理研究所
中国科学院微电子中心
中国科学院大学
中国科学院上海应用物理研究所
东华理工大学 核科学与工程学院
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