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用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率
更新时间：2021-03-12
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    • 用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

    • Measurement of positron mobility in Si by slow positron beam

    • 核技术   2000年第4期
    • 中图分类号： TN304

    • 纸质出版日期：2000-04-01

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  • [1]周先意,朱凯,叶邦角,张天昊,周永钊,杜江峰,张宪锋,韩荣典.用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率[J].核技术,2000(04):209-212. DOI：

    Measurement of positron mobility in Si by slow positron beam[J]. Nuclear techniques, 2000, (4): 209-212. DOI：

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相关作者

韩荣典
杜罡
黄千峰
翁惠民
周先意
韩荣典
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叶邦角

相关机构

中国科学技术大学
中国科学院上海冶金研究所
中国科学技术大学中国科学院上海冶金研究所
中国科学技术大学!合肥２３００２６
中国科学院国际材料物理中心!沈阳１１００１５
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