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注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性
更新时间：2021-03-12
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    • 注F+NMOSFET的电离辐照与退火特性

    • Effects of γ -ray irradiation and annealing on characteristics of F~+ implanted NMOSFET

    • 核技术   2004年第8期
    • 中图分类号： TN386

    • 纸质出版日期：2004-08-01

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  • [1]崔帅,余学峰,任迪远,张华林.注F~+NMOSFET的电离辐照与退火特性[J].核技术,2004(08):586-589. DOI：

    CUI Shuai YU Xuefeng REN Diyuan ZHANG Hualin. Effects of γ -ray irradiation and annealing on characteristics of F~+ implanted NMOSFET[J]. Nuclear techniques, 2004, (8): 586-589. DOI：

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相关作者

周丽宏
张崇宏
杨义涛
宋银
姚存峰
王中央
陈祖良
刘亚建

相关机构

中国科学院近代物理研究所
中国科学院研究生院北京
中国科学院研究生院北京100049
浙江省技术物理应用研究所
浙江省广播电视工业公司
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