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注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性
更新时间：2021-03-12
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    • 注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性

    • The total dose radiation responses of the F-implanted CMOS amplifiers

    • 核技术   2003年第4期
    • 中图分类号： TN722

    • 纸质出版日期：2003-04-01

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  • [1]陆妩,郭旗,余学锋,任迪远,郑毓峰,张军.注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性[J].核技术,2003(04):291-294. DOI：

    LU Wu GUO Qi YU Xuefeng REN Diyuan. The total dose radiation responses of the F-implanted CMOS amplifiers[J]. Nuclear techniques, 2003, (4): 291-294. DOI：

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