CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 范隆; 张国强; 严荣良

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

更新时间：2021-03-12

- CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应
- Radiation effects of 60Co γ rays, electrons and protonson CMOS operational amplifiers
- 核技术 1999年第1期
- 作者机构：
  
  中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐８３００１１
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN722.77
- 纸质出版日期：1999-01-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,范隆,张国强,严荣良.CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应[J].核技术,1999(01):42-47.

Radiation effects of 60Co γ rays, electrons and protonson CMOS operational amplifiers[J]. Nuclear techniques, 1999, (1): 42-47.
[1]陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,范隆,张国强,严荣良.CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应[J].核技术,1999(01):42-47. DOI：

Radiation effects of 60Co γ rays, electrons and protonson CMOS operational amplifiers[J]. Nuclear techniques, 1999, (1): 42-47. DOI：

摘要

介绍了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器在６０Ｃｏγ射线、１ＭｅＶ电子和４、７、３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理，并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。

Abstract

The CMOS operational amplifiers LF7650 were subjected to irradiation by 60Co rays

1MeV electrons and protons of 4

7 and 30MeV

respectively

and theradiation responses under these irradiation conditions were studied. The annealingmeasurements were also performed on the radiation damage caused by 60Co raysand 1MeV electrons at room temperature and 100 respectively. The reason whydifferent rays (in species and energies) cause different responses was discussed

andan explanation was given to the difference in response characteristics betweenCMOS analogue and digital circuits.

关键词

Keywords

references

浏览量

145

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性

瓜氨酸对辐射致小鼠肠道损伤的防护作用及机制研究

磁约束聚变装置辐射监测系统概况

辐照对冷冻肉类食品品质影响的研究现状

基于芯片技术的生物大分子晶体高效数据采集