组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

陈昌明; 潘浩昌; 黄建鸣; 朱德彰; 曹建清; 叶伯年; 胡钧; 李民乾

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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

更新时间：2021-03-12

- 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用
- Combinatorial ion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips
- 核技术 1999年第2期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海原子核研究所!核分析技术开放实验室,上海,201800
  2. 中国科学院上海原子
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  (No.ZX069)
- DOI：
  中图分类号： TN305
- 纸质出版日期：1999-02-01
- 稿件说明：
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[1]陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,朱德彰,曹建清,叶伯年,胡钧,李民乾.组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J].核技术,1999(02):65-68.

Combinatorial ion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips[J]. Nuclear techniques, 1999, (2): 65-68.
[1]陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,朱德彰,曹建清,叶伯年,胡钧,李民乾.组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J].核技术,1999(02):65-68. DOI：

Combinatorial ion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips[J]. Nuclear techniques, 1999, (2): 65-68. DOI：

摘要

将组合技术和离子束技术结合起来，用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。

Abstract

The combinatorial ion beam implantation technique has been applied to synthesize a silicon-based material chip with 64 samples of 2 mm diameter size on it. The Rutherford backscattering spectrometry and photon elastic scattering were used to analyse the samples on the chip.The depth-resolved cathodoluminescence measurement of the samples has provided some clues for optical properties correlated with the impurity distribution in the material.

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