p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究

薛玉雄; 杨生胜; 郭刚; 把得东; 安恒; 田恺; 曹洲; 史淑廷; 沈东军

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p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05

- p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究
- Investigation of charge collection in p-n junctions excited with pulsed laser
- 核技术 2012年35卷第5期
- 作者机构：
  
  1. 兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室
  2. 中国原子能科学研究院核物理所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  真空低温技术与物理重点实验室基金（9140C55020912OC5501）资助()
- DOI：
  中图分类号： V443
- 纸质出版日期：2012-05-01
- 稿件说明：
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[1]薛玉雄,杨生胜,郭刚,把得东,安恒,田恺,曹洲,史淑廷,沈东军.p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究[J].核技术,2012,35(05):357-360.

XUE Yuxiong1 YANG Shengsheng1 GUO Guang2 BA Dedong1 AN Heng1 TIAN Kai1 CAO Zhou1 SHI Shuting2 SHEN Dongjun2 1. Investigation of charge collection in p-n junctions excited with pulsed laser[J]. Nuclear techniques, 2012, 35(5): 357-360.
[1]薛玉雄,杨生胜,郭刚,把得东,安恒,田恺,曹洲,史淑廷,沈东军.p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究[J].核技术,2012,35(05):357-360. DOI：

XUE Yuxiong1 YANG Shengsheng1 GUO Guang2 BA Dedong1 AN Heng1 TIAN Kai1 CAO Zhou1 SHI Shuting2 SHEN Dongjun2 1. Investigation of charge collection in p-n junctions excited with pulsed laser[J]. Nuclear techniques, 2012, 35(5): 357-360. DOI：

摘要

测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流

研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性。研究结果表明

瞬态脉冲信号幅值和收集到的总电荷随脉冲激光能量的增大而增多

与激光能量呈指数关系;收集电荷随偏压而增大;敏感区内的收集电荷数相差不大

远离敏感区的收集电荷明显减小。另外

将研究结果与重离子试验数据进行比对

两者有一定的相似性

但电荷收集脉冲幅值、脉冲波形有一定的差异。其结果为深入研究激光模拟单粒子效应技术奠定了基础。

Abstract

ingle-event phenomena(SEP) is the malfunction of micro electronics devices caused by impact of an energetic heavy ion.To better elucidate the mechanisms

we measured the fast transient current resulting p-n junctions irradiated by pulsed laser.Pulse height spectra were generated to observe the spatial variations of charge collection properties.The transient current and charge collection varied at different laser energies.The charge collection was uniform within a sensitive area of the p-n diode

but it decreased in areas close to the edges.It was found that the collected charge(Q) was correlated with the laser energy(E) by Q=1.2579 E4/3.The charge generation data were compared with those obtained on a tandem accelerator with micro-beam of32S ion.

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