电子元器件的微剂量效应研究进展

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电子元器件的微剂量效应研究进展

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05

- 电子元器件的微剂量效应研究进展
- The research progress of microdose effect in semiconductor devices
- 核技术 2012年35卷第9期
- 作者机构：
  
  1. 清华大学工程物理系
  2. 西北核技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金项目（11175271）资助()
- DOI：
  中图分类号： TN606
- 纸质出版日期：2012-09-01
- 稿件说明：
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[1]闫逸华,范如玉,郭晓强,林东生,郭红霞,张凤祁,陈伟.电子元器件的微剂量效应研究进展[J].核技术,2012,35(09):698-703.

YAN Yihua1 FAN Ruyu1, 2 GUO Xiaoqiang2 LIN Dongsheng2 GUO Hongxia2 ZHANG Fengqi2 CHEN Wei2 1. The research progress of microdose effect in semiconductor devices[J]. Nuclear techniques, 2012, 35(9): 698-703.
[1]闫逸华,范如玉,郭晓强,林东生,郭红霞,张凤祁,陈伟.电子元器件的微剂量效应研究进展[J].核技术,2012,35(09):698-703. DOI：

YAN Yihua1 FAN Ruyu1, 2 GUO Xiaoqiang2 LIN Dongsheng2 GUO Hongxia2 ZHANG Fengqi2 CHEN Wei2 1. The research progress of microdose effect in semiconductor devices[J]. Nuclear techniques, 2012, 35(9): 698-703. DOI：

高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量

足以引起器件特性的永久性退化

导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展

基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制

结合几种典型电子元器件的结构特征

介绍了微剂量效应的失效表征

并讨论了其主要影响因素和发展趋势。

The localized dose deposited around the track of a heavy ion can be high enough to induce a permanent failure in the semiconductor devices

such as the stuck bit error or functional failure.In this paper

progresses in studies on microdose effect are reviewed.Two basic failure mechanisms

i.e.the localized total dose effect and the strong coulomb repulsive force effect

are discussed.Typical failure modes in several types of devices

and the main impact factors

are discussed

too.

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