PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究

李明; 余学峰; 卢健; 高博; 崔江维; 周东; 许发月; 席善斌; 王飞

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PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究

低能加速哭技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05

- PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
- Research on total dose irradiation and annealing effects of PDSOI CMOS SRAM
- 核技术 2011年34卷第6期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆理化技术研究所
  2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室
  3. 中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TP333.8
- 纸质出版日期：2011-06-01
- 稿件说明：
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[1]李明,余学峰,卢健,高博,崔江维,周东,许发月,席善斌,王飞.PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究[J].核技术,2011,34(06):452-456.

LI Ming1, 3 YU Xuefeng1, 2 LU Jian1, et al. Research on total dose irradiation and annealing effects of PDSOI CMOS SRAM[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(6): 452-456.
[1]李明,余学峰,卢健,高博,崔江维,周东,许发月,席善斌,王飞.PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究[J].核技术,2011,34(06):452-456. DOI：

LI Ming1, 3 YU Xuefeng1, 2 LU Jian1, et al. Research on total dose irradiation and annealing effects of PDSOI CMOS SRAM[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(6): 452-456. DOI：

摘要

通过对PDSOI CMOS静态随机存储器（SRAM）在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律

以及不同温度（25oC和100oC）条件的退火行为进行研究

探讨了SOI工艺SRAM的总剂量辐射损伤机制及辐照环境中功耗电流变化与器件功能之间的相关性

为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及星用器件的辐射损伤评估提供途径和方法。

Abstract

In this work

PDSOI static random access memory(SRAM) were irradiated under the static bias condition to different total doses

and annealed at 25oC for 36 h and 100oC for 168 h.Changes in the power supply current of the devices

and their functional errors were measured and studied.The total dose radiation damage mechanisms and the correlation between the changes of power supply current and device function are discussed.For the large-scale SOI integrated circuits

this provides the possible ways and methods to further study the total dose radiation hardening and the radiation damage assessment of the satellite devices.

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