12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

吴雪; 陆妩; 王义元; 胥佳灵; 张乐情; 卢健; 于新; 胡天乐

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05

- 12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应
- Radiation effect of 12-bit BiCMOS ADC at different dose rates
- 核技术 2011年34卷第9期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆理化技术研究所
  2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室
  3. 中国科学院研究生院
  4. 新疆大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN792
- 纸质出版日期：2011-09-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]吴雪,陆妩,王义元,胥佳灵,张乐情,卢健,于新,胡天乐.12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应[J].核技术,2011,34(09):669-674.

WU Xue1, 3 LU Wu1, 2 WANG Yiyuan1, et al. Radiation effect of 12-bit BiCMOS ADC at different dose rates[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(9): 669-674.
[1]吴雪,陆妩,王义元,胥佳灵,张乐情,卢健,于新,胡天乐.12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应[J].核技术,2011,34(09):669-674. DOI：

WU Xue1, 3 LU Wu1, 2 WANG Yiyuan1, et al. Radiation effect of 12-bit BiCMOS ADC at different dose rates[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(9): 669-674. DOI：

摘要

对商用BiCMOS模数转换器（ADC）AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明

ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大

微分非线性误差（DNL）、积分非线性误差（INL）和失码（Misscode）在低剂量率下电离损伤更严重

表现出明显的低剂量率损伤增强效应（Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity

ELDRS）。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。

Abstract

Radiation effects and room-temperature annealing behaviors of BiCMOS ADC(AD678) irradiated by 60Co γ-rays at dose rate of 0.1 and 2×10–4 Gy/s

respectively

are investigated in this paper.The results show that the device’s responses in the sensitive parameters to the dose rates differ distinctly.Big differences occur in radiation effects between analog power supplying current and digital power supplying current.The parameters DNL

INL and Misscode are more sensitive to low dose rate

exhibiting enhanced-low-dose-rate-sensitivity.The damage mechanism of this special response was discussed combining the process and space charge model.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据