用飞行时间法测量氚的深度分布

李景德; 谢大全; 陈淑英; 王基铭; 石磊; 赖祖武

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用飞行时间法测量氚的深度分布

更新时间：2022-09-13

- 用飞行时间法测量氚的深度分布
- Measurement of tritium depth profile by flight time method
- 核技术 1987年10卷第7期
- 作者机构：
  
  1.四川大学原子核科学技术研究所
  2.西南应用电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1986-04-08，
  
  纸质出版日期：1987-07
- 稿件说明：
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李景德, 谢大全, 陈淑英, 等. 用飞行时间法测量氚的深度分布[J]. 核技术, 1987,10(7):22-23,38,61.

Jingde Li, Daquan Xie, Shuying Chen, et al. Measurement of tritium depth profile by flight time method[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(7): 22-23,38,61.
李景德, 谢大全, 陈淑英, 等. 用飞行时间法测量氚的深度分布[J]. 核技术, 1987,10(7):22-23,38,61. DOI：

Jingde Li, Daquan Xie, Shuying Chen, et al. Measurement of tritium depth profile by flight time method[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(7): 22-23,38,61. DOI：

摘要

氚在材料中的浓度、深度分布及其在材料中的扩散行为，是从事核聚变研究者最为关心的问题之一。氚（钛）靶是14MeV中子发生器的主要部件，精确地分析氚在靶中的行为，可以为合理地设计氚靶的厚度提供依据，并使靶的寿命和密封的中子发生器的寿命得以延长。因此，研究一些可行的方法来分析氚在基质材料中的行为有着应用的价值

。用离子背散射方法确定一种离子注入到另外一种核素中的深度分布是很有前途的技术，但是对确定轻核素注入到重核素中的分布是困难的。质子背散射法虽能克服上述弱点，但却只有在基质材料足够薄时才能得到较高的灵敏度，才能把质子从注入的离子上的散射与从基质材料上的散射分开。为了能以较高的灵敏度分析较厚的氚靶，并获得完整的氚在基质材料中深度分布的信息，作为尝试，我们采用了快中子飞行时间方法。

Abstract

The method for measurement of depth profile of tritium implanted or absorbed in materials is described. The sensitivity of this technique may reach 0.1 at%. When the target is 4 mg/cm

the depth resolution may reach 0.46 mg/cm

关键词

Keywords

references

J. C. Davis and J. D. Anderson , J. Vac. Sci. Technol . , 12 , 358 （ 1975 ）。

H. W. Lefevrc et al . , Proceedings of the fourth conference on the scientific and industrial applications of small accelerators , North Texas State University , October, 27—29, 1976 , p. 225 .

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