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用分子电镀法制备109Cd X射线源
更新时间:2022-09-13
    • 用分子电镀法制备109Cd X射线源

    • Preparation of 109Cd X ray source by molecular plating method

    • 核技术   1986年09卷第11期
    • 收稿日期:1985-10-13,

      纸质出版日期:1986-11

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  • 杨振国, 张天梅. 用分子电镀法制备109Cd X射线源[J]. 核技术, 1986,09(11):39-40,61. DOI:

    Zhenguo Yang, Tianmei Zhang. Preparation of 109Cd X ray source by molecular plating method[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(11): 39-40,61. DOI:

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