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离子注入型半导体γ辐射探测器
更新时间:2022-09-13
    • 离子注入型半导体γ辐射探测器

    • Ion-implanted semiconductor γ radiation detector used for the purposes of radiation monitoring

    • 核技术   1986年09卷第11期
    • 收稿日期:1985-03-08,

      纸质出版日期:1986-11

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  • 刘启礼, 王保福, 阳茂解, 等. 离子注入型半导体γ辐射探测器[J]. 核技术, 1986,09(11):31-32,59,60. DOI:

    Qili Liu, Baofu Wang, Maojie Yang, et al. Ion-implanted semiconductor γ radiation detector used for the purposes of radiation monitoring[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(11): 31-32,59,60. DOI:

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相关作者

刘辉兰
王利斌
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黄广伟
马志海
席善学
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赵鑫

相关机构

哈尔滨工程大学 核科学与技术学院
国民核生化灾害防护国家重点实验室
中国科学院半导体研究所 宽禁带半导体研发中心
国防科技大学 文理学院
上海交通大学 IFSA协同创新中心
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