20—80keV Ar<sup>+</sup>离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射

王震遐; 朱福英; 陈文彪; 曹德新; 鲍正开; 周祖尧

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20—80keV Ar⁺离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射

研究简报 | 更新时间：2022-09-13

- 20—80keV Ar⁺离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射
- Sputtering of the dilute Si (Co, Ta) alloy with 20—80 keV Ar⁺ ions
- 核技术 1986年09卷第9期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海原子核研究所
  2.中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1982-12，
  
  修回日期：1986-05-06，
  
  纸质出版日期：1986-09
- 稿件说明：
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王震遐, 朱福英, 陈文彪, 等. 20—80keV Ar⁺离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射[J]. 核技术, 1986,09(9):9-11,56,57.

Zhenxia Wang, Fuying Zhu, Wenbiao Chen, et al. Sputtering of the dilute Si (Co, Ta) alloy with 20—80 keV Ar⁺ ions[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(9): 9-11,56,57.
王震遐, 朱福英, 陈文彪, 等. 20—80keV Ar⁺离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射[J]. 核技术, 1986,09(9):9-11,56,57. DOI：

Zhenxia Wang, Fuying Zhu, Wenbiao Chen, et al. Sputtering of the dilute Si (Co, Ta) alloy with 20—80 keV Ar⁺ ions[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(9): 9-11,56,57. DOI：

摘要

荷能离子对单元素的溅射已有较好的理论解释

[1]

，但是对多元合金或化合物溅射的研究才开始不久，目前尚无一个能够成功地解释实验现象的理论。

Abstract

The study of alloy and compound sputtering is very important to applications of material sputtering phenomena and to the theory of atomic collision. The surface layer compositional change of sample under sputtering is an interesting one of many sputtering phenomena. In order to observe this phenomenon and to study its characteristic

we selected the ternary alloy system Si(Co

Ta). The samples were sputtered individually with 20—80 keV Ar

ions. Then we studied how the surface large compositional change had depended on the energy of Ar

ions.

关键词

Keywords

references

P. Sigmund , Phys. Rev. , 184 , 383 （ 1969 ）.

W. K. Chu , J. Appl. Phys. , 47 , 4500 （ 1976 ）.

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20—80keV Ar+离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射

Sputtering of the dilute Si (Co, Ta) alloy with 20—80 keV Ar+ ions

DOI：

摘要

Abstract

关键词

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references

20—80keV Ar⁺离子对稀释Si（Co，Ta）合金的溅射

Sputtering of the dilute Si (Co, Ta) alloy with 20—80 keV Ar⁺ ions