Si（Au）探测器的快中子辐射损伤

邵明珠; 罗诗裕; 赵彦森

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Si（Au）探测器的快中子辐射损伤

更新时间：2022-09-13

- Si（Au）探测器的快中子辐射损伤
- Radiation damage in Si (Au) -detectors by fast neutron irradiation
- 核技术 1986年09卷第9期
- 作者机构：
  
  1.重庆交通学院
  2.中国科学院近代物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1985-01-07，
  
  纸质出版日期：1986-09
- 稿件说明：
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邵明珠, 罗诗裕, 赵彦森. Si（Au）探测器的快中子辐射损伤[J]. 核技术, 1986,09(9):12-14,57.

Mingzhu Shao, Shiyu Luo, Yansen Zhao. Radiation damage in Si (Au) -detectors by fast neutron irradiation[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(9): 12-14,57.
邵明珠, 罗诗裕, 赵彦森. Si（Au）探测器的快中子辐射损伤[J]. 核技术, 1986,09(9):12-14,57. DOI：

Mingzhu Shao, Shiyu Luo, Yansen Zhao. Radiation damage in Si (Au) -detectors by fast neutron irradiation[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(9): 12-14,57. DOI：

摘要

在核实验中，半导体硅探测器常用来对带电粒子和中子进行探测。其能量响应和时间响应特性均十分良好，但是耐辐射性能却较差，尤其在伴有γ和中子本底的环境中，由于辐照引起探测器晶格损伤，导致半导体探测器性能退化，如探测器漏电流增大、能量分辨本领变差、能量亏损增加、时间响应增长等，严重影响探测器的使用和寿命

[1]

。

Abstract

The damage produced in Si(Au)-detectors by ~14 MeV fast neutron irradiation has been studied. The I~V and C~V characteristic curves over wide range of irradiation doses have been tested; The damage coefficient and allowable flux of fast neutrons for silicon surface barrier detectors are introduced.

关键词

Keywords

references

H. W. Kraner , IEEE Trans. Nucl. Sci. , NS-29 , 3 , 1088 （ 1982 ）.

J. R. Srour , ibid , NS-20 , 6 , 190 （ 1973 ）.

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