低能离子溅射引起表面损伤的研究

周祖尧; 任琮欣; 陈国明; 胡嘉增; 杨洁; 傅新定; 邹世昌; 朱德彰; 曹德新

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低能离子溅射引起表面损伤的研究

科研成果报告 | 更新时间：2022-09-13

- 低能离子溅射引起表面损伤的研究
- Investigation of Si surface damage induced by low energy ion sputtering
- 核技术 1986年09卷第7期
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海冶金研究所
  2.中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1985-06-06，
  
  纸质出版日期：1986-07
- 稿件说明：
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周祖尧, 任琮欣, 陈国明, 等. 低能离子溅射引起表面损伤的研究[J]. 核技术, 1986,09(7):7-10,59.

Zuyao Zhou, Congxin Ren, Guoming Chen, et al. Investigation of Si surface damage induced by low energy ion sputtering[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(7): 7-10,59.
周祖尧, 任琮欣, 陈国明, 等. 低能离子溅射引起表面损伤的研究[J]. 核技术, 1986,09(7):7-10,59. DOI：

Zuyao Zhou, Congxin Ren, Guoming Chen, et al. Investigation of Si surface damage induced by low energy ion sputtering[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(7): 7-10,59. DOI：

摘要

本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系，讨论了损伤形成的动力学过程。

Abstract

Silicon crystal lattice damage induced by low energy ions is measured by RBS and channeling. The dependence of the lattice damage on crystal orientation

ion energy and dose is investigated. The kinetics of damage formation is discussed.

关键词

Keywords

references

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