10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

赖启基; 吴凤美; 蒋永兴; 陆用义; 朱以璋; 王元林; 冯文荃

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10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

更新时间：2022-09-13

- 10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究
- Study of the radiation effects on MOS samples and Si diodes and triodes using: 10-12 MeV electron
- 核技术 1986年09卷第6期
- 作者机构：
  
  南京大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1984-11-16，
  
  纸质出版日期：1986-06
- 稿件说明：
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赖启基, 吴凤美, 蒋永兴, 等. 10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究[J]. 核技术, 1986,09(6):14-18,59.

Qiji Lai, Fengmei Wu, Yongxing Jiang, et al. Study of the radiation effects on MOS samples and Si diodes and triodes using: 10-12 MeV electron[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(6): 14-18,59.
赖启基, 吴凤美, 蒋永兴, 等. 10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究[J]. 核技术, 1986,09(6):14-18,59. DOI：

Qiji Lai, Fengmei Wu, Yongxing Jiang, et al. Study of the radiation effects on MOS samples and Si diodes and triodes using: 10-12 MeV electron[J]. Nuclear techniques, 1986, 09(6): 14-18,59. DOI：

摘要

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。

Abstract

In this paper

the experimental results of the radiation effects on MOS samples and sealed Si diodes and triodes using 10-12MeV electrons are presented. The features and practical values of radiation effects by high energy electron have been analyzed.

关键词

Keywords

references

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