14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响

潘洪进; 芮静宜

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14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响

更新时间：2022-09-13

- 14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响
- Irradiation effects on some light emitting diodes by 14MeV neutrons
- 核技术 1984年07卷第1期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1982-06-30，
  
  纸质出版日期：1984-02
- 稿件说明：
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潘洪进, 芮静宜. 14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响[J]. 核技术, 1984,07(1):62-64,78.

Hongjin Pan, Jinyi Rui. Irradiation effects on some light emitting diodes by 14MeV neutrons[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 62-64,78.
潘洪进, 芮静宜. 14MeV中子辐照对发光二极管GaAsP性能的影响[J]. 核技术, 1984,07(1):62-64,78. DOI：

Hongjin Pan, Jinyi Rui. Irradiation effects on some light emitting diodes by 14MeV neutrons[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 62-64,78. DOI：

摘要

发光二极管具有体积小、耗电少、调制性能好等优点，目前已广泛用干各个领域，它的辐照损伤研究曾有不少文章评论过

，通过辐射损伤的研究，可以对管子的性能、辐射损伤机理及加固方法提供有价值的数据。我们利用200keV中子发生器，由T（

，

）

He反应得到14MeV中子在室温条件下辐照发光二极管，并用光电倍加管、脉冲高度分析器测量在不同累积中子通量辐照下发光强度，从而得到发光二极管的光强变化与累积中子通量的关系，并初步确定辐射损伤常数。

Abstract

The effects of 14MeV neutron irradiation on light emitting diodes have been studied. If the voltage or current remains constant

the light intensity of LED decreases with the increase of neutron fluence.

The experiment has also proved that 14MeV neutron irradiation can induce a non-adialive recombination center in LED and the light intensity is controlled by diffusive current.

关键词

Keywords

references

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