硅基体的金属钼反冲注入

王玟珉; 吴俊恒; 张达明

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

硅基体的金属钼反冲注入

更新时间：2022-09-13

- 硅基体的金属钼反冲注入
- Recoil implantation of molybdenum into silicon
- 核技术 1984年07卷第1期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1983-03-15，
  
  纸质出版日期：1984-02
- 稿件说明：
移动端阅览
王玟珉, 吴俊恒, 张达明. 硅基体的金属钼反冲注入[J]. 核技术, 1984,07(1):55-56,77.

Wenmin Wang, Junheng Wu, Darning Zhang. Recoil implantation of molybdenum into silicon[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 55-56,77.
王玟珉, 吴俊恒, 张达明. 硅基体的金属钼反冲注入[J]. 核技术, 1984,07(1):55-56,77. DOI：

Wenmin Wang, Junheng Wu, Darning Zhang. Recoil implantation of molybdenum into silicon[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 55-56,77. DOI：

摘要

在某基体的表面，真空蒸镀一层其它材料的薄膜，用离子轰击时将引起原子级联碰撞而导致基体原子和薄层原子的混合，特别是在界面区域的混合。所谓反冲注入是指薄层原子在此过程中进入基体的现象。目前，离子束混合已开始应用到半导体器件及金属等材料改性的领域中。

Abstract

120keV argon ion beams have been used to bombard thin Mo films evaporated onto silicon foil. The phenomena of the recoil implantation of Mo atoms into silicon have been investigated by RBS. Experimental results show that about 1.44 Mo atoms are recoil-implanted into silicon for each Ar ion.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

强脉冲离子束辐照混合的RBS研究

H⁺辐照对不锈钢基体上涂覆W膜的微观研究

用离子束技术制备的铝和铝－镁镀层在水溶液中的腐蚀研究

离子束混合及离子注入陶瓷材料表面改性研究概述

用离子束技术在钢铁表面制备铝和铝－镁镀层的电化学研究

相关机构

北京航空航天大学理学院物理系

北京大学重离子物理研究所重离子物理教育部重点实验室

100083 北京 100871 北京 100871 北京

北京大学重离子物理研究所重离子物理教育部重点实验室

教育部辐射物理及技术重点实验室

AI问答

地址：上海市嘉罗公路2019号邮编：201800
联系电话：021-39194977 Email：LHB@sinap.ac.cn
技术支持由北京北大方正电子有限公司提供沪ICP备05005479号-1 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies
总访问量：880514 今日访问量：41

⁰