单晶硅面沟道效应的研究

龙先灌; 王明华; 何福庆; 彭秀峰

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

单晶硅面沟道效应的研究

科研成果报告 | 更新时间：2022-09-13

- 单晶硅面沟道效应的研究
- Planar channeling studies in single crystal Si
- 核技术 1984年07卷第1期
- 作者机构：
  
  四川大学原子核科学技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1983-01-31，
  
  纸质出版日期：1984-02
- 稿件说明：
移动端阅览
龙先灌, 王明华, 何福庆, 等. 单晶硅面沟道效应的研究[J]. 核技术, 1984,07(1):12-14,73.

Xianguan Long, Minghua Wang, Fuqing He, et al. Planar channeling studies in single crystal Si[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 12-14,73.
龙先灌, 王明华, 何福庆, 等. 单晶硅面沟道效应的研究[J]. 核技术, 1984,07(1):12-14,73. DOI：

Xianguan Long, Minghua Wang, Fuqing He, et al. Planar channeling studies in single crystal Si[J]. Nuclear techniques, 1984, 07(1): 12-14,73. DOI：

摘要

采用静态的Molière面连续势并计及相邻各晶面的影响，计算了单晶硅‹100›、‹110›和‹111›面沟道的半角宽度以及产额极小值，同1MeV质子对单晶硅面沟道实验测量结果进行了比较。理论分析和实验测量都表明，虽然‹111›晶面有两种不同的面间距，但‹111›面沟道只存在一个坑。

Abstract

Using static moliere continuum potential for isolated plan and taking into account the effect of several adjacent plans

we have calculated the half-angular width and yields minimum of channeling dip for ‹100›

‹110› and ‹111› plans in single crystal Si and compared with the experimental results of 1-MeV proton on Si. Both theoretical analysis and experimental measurement indicate that there is only one dip for ‹111› planar channeling

even if there are two different interplanar spacings for the ‹111› plans in Si.

关键词

Keywords

references

D. S. Gemmell , Rev. Mod. Phys. , 46 , 129 ( 1974 ).

B. R. Appleton et al ., BNL -50083 , 45 ( 1968 ).

W. White et al ., Phys. Lett. , A28 , 651 ( 1969 ).

魏成连等，物理学报， 29 ， 1222 （ 1980 ）。

J. A. Davies et al ., Phys. Rev. , 165 , 345 ( 1968 ).

J. W. Mayer et al ., Ion beam handbook for material analysis , Academic Press , New York , 1977 , p. 73 .

B. R. Appleton et al ., Phys. Rev. , 161 , 330 ( 1967 ).

J. H. Barrett , Phys. Rev. , B3 , 1527 ( 1971 ).

J. Lindhard , Kgl. Danske Videnskab. Selskab. Mat.-Fys. Medd. , 34 , No.14 , ( 1965 ).

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

高纯热中子束装置及设计