电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质

张增光; 王德仁; 刘钰铭; 孙恒慧; 徐瑗

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电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质

更新时间：2022-09-13

- 电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质
- Electron radiation controlled lifetime of minority carriers and introduced defect character in silicon devices
- 核技术 1983年06卷第5期
- 作者机构：
  
  1.上海整流器厂
  2.上海化工研究院
  3.复旦大学
  4.西安整流器研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1981-10-15，
  
  纸质出版日期：1983-10
- 稿件说明：
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张增光, 王德仁, 刘钰铭, 等. 电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质[J]. 核技术, 1983,06(5):40-41,48,76,77.

Zengguang Zhang, Deren Wang, Yuming Liu, et al. Electron radiation controlled lifetime of minority carriers and introduced defect character in silicon devices[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(5): 40-41,48,76,77.
张增光, 王德仁, 刘钰铭, 等. 电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质[J]. 核技术, 1983,06(5):40-41,48,76,77. DOI：

Zengguang Zhang, Deren Wang, Yuming Liu, et al. Electron radiation controlled lifetime of minority carriers and introduced defect character in silicon devices[J]. Nuclear techniques, 1983, 06(5): 40-41,48,76,77. DOI：

摘要

本文介绍用1.3MeV电子束对

二极管进行辐照，得出了少子寿命随辐照剂量增加而减少的结果。辐照造成的缺陷主要为双空位。辐照器件工作稳定可靠。

Abstract

Some Pi

diodes were irradiated with 1.3MeV electron beam. It is found that the minority carrier lifetime will decrease with the increasing of radiation dose. The induced defects by radiation are mainly duel vacancies

and the irradiated devices work stably and reliably.

关键词

Keywords

references

R. O. Carlson et al . , IEEE Trans. Electron Devices , ED24 , 8 , 1103 （ 1977 ）.

C. K. Chu et al . , ISA Annual , 1975 , p. 180 .

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L. C. Kimerliry , Radiation effects in semiconductor , 1976 . p. 221 .

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